等离子体轰击技术可以提高氧化铟锡薄膜的室温结晶性能

氧化铟锡是有机太阳能电池电极的关键材料，但由于氧化铟锡薄膜结晶所需的高温沉积条件，衬底的性能会降低，影响了太阳能电池的光电性能。

可以在传统磁控溅射工艺中引入了一种新的等离子体轰击技术，以提高氧化铟锡薄膜的室温结晶性能，研究了不同脉冲直流电压下等离子体轰击对氧化铟锡薄膜光电性能和机械性能的影响。

结果表明，当脉冲直流电压( ｜Ｖ ｐ ｜)高于｜ －５００ Ｖ｜( ｜Ｖ ｐ ｜ > ｜ －５００ Ｖ｜)时，薄膜的结晶性明显增强。在室温下制备了厚度为１３５ ｎｍ 的氧化铟锡薄膜，迁移率为４２.１ｃｍ２/Ｖｓ，可见光透过率超过 ８０％。与未经等离子体轰击的氧化铟锡薄膜相比，经等离子体轰击的氧化铟锡薄膜具有更好的结晶性能和更高的纳米硬度。优化后的氧化铟锡薄膜可有效提升有机太阳能电池的填充因子和转换效率，该材料还可应用于隔热涂层和气体传感器等节能与环保领域。