真空蒸馏技术方法对铟中杂质锡含量的降低效果明显

以４Ｎ(９９.９９％) 的铟为原料，通过电解精炼、中频冶炼、区熔熔炼和真空蒸馏的工艺提纯方法，来验证高纯铟产品中杂质锡的含量，产品需要满足Ｓｎ≤０. ３ｐｐｍ。使用ＧＤＭＳ的分析检测方法来判定铟中的杂质锡含量。结果表明，真空蒸馏的方法对铟中杂质锡含量降低效果明显，杂质Ｓｎ含量低于０.１ｐｐｍ。

高纯铟被广泛应用于电子信息、太阳能电池、电子光电、国防军事、航空航天、核工业和现代信息产业等高科技领域,在国民经济中的作用日趋重要，已成为现代电子工业中必不可少的功能材料之一。以铟、磷为原料制备磷化铟单晶，磷化铟半导体材料具有宽禁带结构，并且电子通过磷化铟材料速度快。磷化铟器件能够放大更高频率或更短波长的信号，广泛应用于卫星信号接收器和放大器，推动卫星通讯向更高频段发展，同时磷化铟材料的光通信器件数码率高、 波长单色性好，广泛应用于光电网络，推动了互联网数据信息传输量的发展，不断满足人们对网络向更高速度和更宽方向发展的要求，中国作为铟储量大国，一直存在低附加值４Ｎ(９９.９９％) 铟出口和高附加值６Ｎ(９９.９９９９％)铟进口的问题，电解精炼作为国内生产高纯铟主流工艺，采用４Ｎ铟提纯至５Ｎ纯度，６Ｎ纯度高纯铟的制备采用５Ｎ高纯铟进行定向结晶、区域熔炼或生长单晶法的方法，但由于高纯铟中锡杂质平衡分离系数与铟接近，无法分离，导致国产高纯铟产品质量低下，锡杂质较高，在半导体领域中的应用受到限制，在市场上缺乏核心竞争力，在中高端市场，需求基本上依赖进口，对进口产品的市场依赖度较大，严重影响国内半导体材料产业的发展。

真空蒸馏技术方法对铟中杂质锡含量的降低效果比较明显，该方法利用了铟与Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｔｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｓ等杂质蒸汽压不同将真空蒸馏与挥发相结合，直接采用４Ｎ原料进行提纯至５Ｎ~６Ｎ纯度，将杂质锡含量直接降到≤０.１ｐｐｍ，其他杂质含量均满足５Ｎ ~６Ｎ产品要求，真空蒸馏的产品得到了美国ＥＡＧ分析机构的检验，该技术方法不仅仅解决了高纯铟生产中杂质锡含量的高重大技术难题，也实现了高纯铟制备工艺技术上的重点突破。