碳化硅基镓氮技术的竞争局势和产业发展建议

氮化镓具有宽半导体带隙、高电子饱和漂移速度、高热导率、高击穿强度等特点，广泛的应用于信息、能源、交通、国防等产业领域。碳化硅基镓氮，即在碳化硅衬底上外延生长的氮化镓。碳化硅衬底高温下性质非常稳定，具有优良的导电和导热性能，与硅衬底相比，碳化硅衬底与氮化镓具有更好的晶格匹配关系，晶格失配率仅为 3.4 %，并且与氮化镓具有相同的解里面。因此，碳化硅基氮化镓能够提供的功率级别较高，且能够在最严苛的使用环境下保持稳定性能，多应用于高端射频器件，是军用雷达、电子战和通信应用等国防应用中的热门材料。随着碳化硅单晶材料制备技术的进步，碳化硅基氮化镓的成本显著下降，在商业市场的应用需求也日益扩大，在 5G 产业发展的推动下更是具有广阔的应用前景。

碳化硅基镓氮技术的竞争局势和产业发展建议如下：

(1)国际形势方面，日本和美国在碳化硅基镓氮技术领域技术实力强大，且存在大量的专利布局，技术壁垒较高，存在较高的专利侵权风险。在日本和美国技术市场开拓过程中，需要提高风险意识，做好专利预警工作，警惕专利纠纷；

(2)中国的现状：起步晚，积累不足，技术力量薄弱，与国际存在较大差距，这是长期以来的行业现状。在国家政策支持和产业需求的推动下，相关技术有了迅速的发展。为了加速实现跨越式发展和产业的优化升级，需要建立完善优势企业主导、创新主体协同的机制，培育领军企业；加强产学研结合，推动和促进高校、科研院所和企业的交流与合作，以充分发挥创新资源的优势，加速科研成果转化，降低研发时间和成本。

(3)知识产权策略：我国创新主体应充分利用专利信息，在开展相关研发前，应对国内外相关专利进行全面分析，规避或合理借鉴现有专利技术，避免重复投入，提高研发效率。同时，采取全球化的专利布局策略，积极的对潜在市场进行前瞻性专利布局，抢占国际市场，提高国际话语权。